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晶体管
IPD042P03L3GBTMA1参考图片

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IPD042P03L3GBTMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.2207
3610.35
2,500
¥5.0511
12627.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
175 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD042P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
167 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
G IPD042P03L3 IPD42P3L3GXT SP000473922
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD042P03L3GBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK7611-55B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:25631
PSMN057-200P,127
Nexperia
晶体管
MOSFET TRENCH-200
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:25634
IPP70N12S311AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:5524
DSS5240Y-7
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS PNP
3,000:¥0.52206
参考库存:25639
RN2405,LF
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 2.2kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:25642
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