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晶体管
STGIPS20C60-H参考图片

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STGIPS20C60-H

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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库存:4,168(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥129.0121
129.0121
10
¥118.6387
1186.387
25
¥113.7232
2843.08
100
¥100.1971
10019.71
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
-
Pd-功率耗散
46 W
封装 / 箱体
SDIP-25L
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
STGIPS20C60-H
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
132
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIPS20C60-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 NPN GP AMP
1:¥3.616
10:¥2.8024
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
4,000:¥0.9831
参考库存:18661
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:8462
晶体管
MOSFET 350V 10Ohm
1:¥9.7632
10:¥9.605
25:¥8.0682
100:¥7.3563
2,000:¥5.0737
4,000:查看
参考库存:5370
晶体管
MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.5877
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
参考库存:18311
晶体管
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.599
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
10,000:¥0.71416
20,000:查看
参考库存:20157
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