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晶体管
FQD2N60CTM-WS参考图片

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FQD2N60CTM-WS

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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6839
56.839
100
¥4.3618
436.18
500
¥3.8533
1926.65
2,500
¥2.7007
6751.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
配置
Single
商标名
QFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD2N60C
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
FQD2N60CTM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD2N60CTM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
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100:¥0.27685
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3,000:¥0.14577
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1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
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1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
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1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
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双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5312
100:¥1.1526
1,000:¥0.92208
8,000:¥0.69156
48,000:查看
参考库存:9309
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