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晶体管
ZXMN2B01FTA参考图片

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ZXMN2B01FTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
4.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
806 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.02 mm
长度
3.04 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN2B01
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6.1 S
下降时间
10.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.8 ns
典型接通延迟时间
3.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN2B01FTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.537
10:¥4.4748
100:¥3.4013
500:¥2.8024
1,000:¥2.2487
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25:¥81.8346
50:¥77.3824
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1:¥104.1182
5:¥100.0502
10:¥96.276
25:¥88.4451
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1:¥12.8368
10:¥11.3678
100:¥8.9157
500:¥6.9608
2,500:¥4.9833
5,000:查看
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晶体管
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1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3224
250:¥7.3224
500:¥6.4749
参考库存:1673
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