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晶体管
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TPS1100PW

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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库存:3,620(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.27 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
504 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
1.2 mm
长度
4.4 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1100
晶体管类型
1 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
39 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1100PW的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:22178
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥410.4047
5:¥401.3308
10:¥382.9683
25:¥366.911
参考库存:1658
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,439.3649
5:¥2,401.8602
10:¥2,366.1296
25:¥2,315.031
参考库存:22183
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥25.6623
10:¥21.2892
100:¥17.515
250:¥16.9839
500:¥15.2098
参考库存:22186
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.7686
25:¥4.0002
100:¥3.616
250:¥3.39
2,000:¥3.39
参考库存:22189
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