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晶体管
TPC6111(TE85L,F,M)参考图片

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TPC6111(TE85L,F,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch FET RDS 33mohm IDSS -10uA VDS -20V
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数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥1.8984
1898.4
3,000
¥1.6159
4847.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VS6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
2.9 mm
系列
TPC6111
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格，TPC6111(TE85L,F,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7463DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:9426
MMBT3904LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GENERAL PURPOSE
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:568199
NGTB40N120SWG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 40A 1200V Welding
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:1842
2SC4505T100Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 400V 100MA
1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.277
1,000:¥2.6216
2,000:¥2.2148
参考库存:1981
BCV 62A E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:10636
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