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晶体管
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DMN90H8D5HCTI

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库存：1,215(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.2828
628.28
500
¥5.5596
2779.8
1,000
¥4.3844
4384.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.850 g
商品其它信息
优势价格，DMN90H8D5HCTI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL19N65M5
STMicroelectronics
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1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
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100:¥1,232.8187
参考库存:37008
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