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晶体管
IPP100N08N3 G参考图片

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IPP100N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:18,388(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP100N08N3GXKSA1 IPP1N8N3GXK SP000680856
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP100N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥865.8286
10:¥836.9458
25:¥808.1308
50:¥779.2367
100:¥747.7323
参考库存:24872
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:24875
晶体管
MOSFET BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
参考库存:24878
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:23693
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:175270
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