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晶体管
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DMT3009LFVWQ-7

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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1358
41.358
100
¥2.6668
266.68
1,000
¥2.1357
2135.7
2,000
¥1.7967
3593.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.9 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMBFJ308,215
NXP Semiconductors
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1752
3,000:¥0.99892
参考库存:3732
TK56A12N1,S4X
Toshiba
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MOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
1:¥16.1364
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100:¥10.3734
500:¥9.1417
参考库存:3149
2N4920
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:3108
FP75R06KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥865.5235
5:¥849.6244
10:¥811.4304
25:¥784.3782
参考库存:3031
DDTA124GUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6026
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