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晶体管

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APT27GA90BD15

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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库存:4,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.0142
58.0142
10
¥52.1721
521.721
25
¥47.5617
1189.0425
100
¥42.8722
4287.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
223 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
高度
4.69 mm
长度
20.8 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
15.49 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
48 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT27GA90BD15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET SOP8 Pch
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
2,500:¥7.458
5,000:查看
参考库存:3815
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual NPN
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
参考库存:14650
晶体管
MOSFET 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
4,000:¥1.582
参考库存:50718
晶体管
MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
800:¥7.91
参考库存:3628
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp
1:¥6.8365
10:¥5.5822
3,000:¥5.5822
参考库存:5241
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