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晶体管

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APT27GA90BD15

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥58.0142
58.0142
10
¥52.1721
521.721
25
¥47.5617
1189.0425
100
¥42.8722
4287.22
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
223 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
高度
4.69 mm
长度
20.8 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
15.49 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
48 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT27GA90BD15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVTFS5811NLTWG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
5,000:¥4.0115
10,000:¥3.8533
参考库存:41776
DTD743ZETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:41779
NVMFS5C430NWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥4.0341
10,000:¥3.8872
参考库存:41782
JANTX2N5680
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥315.27
5:¥299.45
10:¥291.6078
25:¥267.9456
参考库存:41785
DTC143XEBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:41788
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