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晶体管
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KSD882YSTU

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库存：6,272(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.6046
160.46
1,000
¥1.243
1243
2,500
¥1.05994
2649.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
90 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD882
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA115TUA-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
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MRF8S9232NR3
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暂无价格
参考库存:30953
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V
250:¥1,181.7992
参考库存:30956
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1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:30959
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