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晶体管
IFN401参考图片

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IFN401

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET Dual JFET N-CH -50V 10mA 300mW 4.3mW
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数量单价合计
1
¥137.4645
137.4645
10
¥115.6442
1156.442
100
¥106.4234
10642.34
250
¥96.9766
24244.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-71-6
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 50 V
Vgs=0时的漏-源电流
10 mA
Id-连续漏极电流
200 uA
Pd-功率耗散
300 mW
系列
IFN40
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
0.5 mS
闸/源截止电压
- 2.5 V
工厂包装数量
1
零件号别名
U401
商品其它信息
优势价格,IFN401的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual 20V P channel MOSFET
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.9775
25,000:¥1.9323
参考库存:31094
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:31097
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
800:¥21.0519
2,400:¥20.0575
参考库存:31100
晶体管
IGBT 模块
1:¥251,518.0668
参考库存:31103
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥640.4614
参考库存:31106
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