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晶体管
IKW15N120T2参考图片

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IKW15N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
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数量单价合计
1
¥40.4992
40.4992
10
¥34.4198
344.198
100
¥29.8094
2980.94
250
¥28.3517
7087.925
500
¥25.4363
12718.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
235 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N12T2XK SP000244961
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW15N120T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF
1:¥7.5258
10:¥6.1585
100:¥5.1302
500:¥3.955
3,000:¥3.1753
9,000:查看
参考库存:5449
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MOSFET 50V 0.3Ohm
1:¥9.7632
10:¥9.605
25:¥8.0682
100:¥7.3563
参考库存:4780
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V
1:¥5.8421
10:¥4.8477
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
2,500:¥2.1131
参考库存:7855
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:6455
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:4252
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