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晶体管
IPP029N06NAKSA1参考图片

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IPP029N06NAKSA1

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库存:4,522(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS Power Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP029N06N IPP29N6NXK SP000917404
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP029N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 40A 83W
1:¥24.2046
10:¥20.0575
3,000:¥20.0575
参考库存:3534
晶体管
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1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
2,500:¥6.5088
5,000:查看
参考库存:12647
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
1,000:¥5.7856
2,500:¥5.7856
参考库存:4376
晶体管
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1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6614
参考库存:3156
晶体管
IGBT 晶体管 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
800:¥12.7577
2,400:查看
参考库存:4134
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