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晶体管
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IPP029N06NAKSA1

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数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS Power Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP029N06N IPP29N6NXK SP000917404
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP029N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMSTA06,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.3334
100:¥0.46895
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.23843
参考库存:8927
PBSS5230T,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:14708
IPP037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3662
FP50R12KT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 75A
1:¥893.265
5:¥875.75
10:¥834.8666
25:¥817.3516
参考库存:3090
DTC124XKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 50MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:10372
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