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晶体管
IPB80N03S4L-03参考图片

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IPB80N03S4L-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2885
728.85
500
¥6.441
3220.5
1,000
¥5.085
5085
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB8N3S4L3XT SP000274982
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80N03S4L-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:10939
晶体管
MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥6.3054
参考库存:3195
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS PNP
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:12119
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
1:¥955.2794
5:¥936.5214
10:¥892.8808
25:¥874.1341
参考库存:3201
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-11
1:¥1.07576
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:34833
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