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晶体管
APT27ZTR-G1参考图片

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APT27ZTR-G1

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63054
630.54
2,000
¥0.48364
967.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1.6 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
APT27
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 100 mA, 10 V
封装
Ammo Pack
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
6 at 300 mA, 10 V
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，APT27ZTR-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHP30N60E-E3
Vishay / Siliconix
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