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晶体管
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DMN2004VK-7

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库存:8,420(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3843
23.843
100
¥1.2882
128.82
1,000
¥0.96841
968.41
3,000
¥0.83733
2511.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
540 mA
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.6 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN2004
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
36.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.5 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2004VK-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P Channel Mosfet
15,000:¥0.59212
24,000:¥0.5537
45,000:¥0.52206
参考库存:28138
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,252.0287
5:¥1,221.1458
10:¥1,191.7884
25:¥1,148.4529
参考库存:28141
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
1,300:¥4.5539
2,600:¥4.0454
10,400:¥3.8872
参考库存:28144
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
3,000:¥20.0575
参考库存:28147
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥747.1899
参考库存:28150
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