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晶体管
SPW20N60CFD参考图片

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SPW20N60CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD
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库存:3,876(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.3355
43.3355
10
¥36.8041
368.041
100
¥31.8886
3188.86
250
¥30.2727
7568.175
500
¥27.1991
13599.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.7 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP000014535 SPW20N60CFDFKSA1 SPW2N6CFDXK
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SPW20N60CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:5526
晶体管
MOSFET FET 1200V 5A 450mOhm Silicon Carbide SiC
1:¥60.8618
10:¥55.0197
25:¥52.4094
100:¥45.4938
250:¥43.4937
参考库存:4468
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
2,000:¥2.3956
参考库存:4583
晶体管
MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,000:¥6.0116
参考库存:5246
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
1:¥28.0466
100:¥26.9731
500:¥25.6623
参考库存:4272
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