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晶体管
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NST847BDP6T5G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN GP TRANS
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63054
630.54
8,000
¥0.43053
3444.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST847BDP6
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 mA, 5 V
高度
0.37 mm
长度
1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
420 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥5.0059
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