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晶体管

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FZ300R12KE3G

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库存:2,203(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥748.1165
748.1165
5
¥734.3644
3671.822
10
¥701.3232
7013.232
25
¥677.9548
16948.87
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
480 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
EUPEC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Stud
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ300R12KE3GHOSA1 SP000100743
商品其它信息
优势价格,FZ300R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A UFS
1:¥54.1722
10:¥48.9516
25:¥46.6464
100:¥40.4992
参考库存:4129
晶体管
MOSFET PMCXB1000UE/DFN1010B-6/REEL 7
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
5,000:¥1.2317
参考库存:8242
晶体管
MOSFET MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
2,500:¥6.9495
5,000:查看
参考库存:4820
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥31.6626
10:¥26.2838
100:¥21.5943
250:¥20.905
500:¥18.7467
参考库存:3826
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥97.0444
10:¥88.2078
25:¥81.6086
50:¥77.1451
参考库存:3780
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