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晶体管
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APT45GP120J

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥286.455
286.455
2
¥278.6241
557.2482
5
¥270.9401
1354.7005
10
¥263.177
2631.77
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-227-4
安装风格
Chassis Mount
配置
N-Channel
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
34 A
Pd-功率耗散
329 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN67D7L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥0.24634
30,000:¥0.23052
50,000:¥0.2147
参考库存:32411
MPSA66
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达林顿晶体管 . .
5,000:¥1.11418
10,000:¥1.04525
25,000:¥0.99101
50,000:¥0.9605
参考库存:32414
NVMFS6H858NT1G
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1,500:¥7.4354
4,500:¥7.1642
9,000:¥6.8817
参考库存:32417
DMC566060R
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双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
暂无价格
参考库存:32420
SI3403DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 5.0A 3.2W 70mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:32423
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