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晶体管
RQ6E045BNTCR参考图片

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RQ6E045BNTCR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 30V 4.5A Power MOSFET
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库存:4,228(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.3334
133.34
1,000
¥0.99892
998.92
3,000
¥0.86106
2583.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RQ6E045BN
商品其它信息
优势价格,RQ6E045BNTCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3504
1,000:¥1.8193
3,000:¥1.5481
参考库存:3997
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2301CDS-T1-GE3
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.9097
500:¥1.5594
3,000:¥1.5594
参考库存:41029
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:3716
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
1:¥142.7642
10:¥131.3173
25:¥125.8594
100:¥110.8756
3,000:¥81.6764
参考库存:1029
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8704
2,500:¥6.8704
参考库存:5985
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