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晶体管
RN2711(TE85L,F)参考图片

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RN2711(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥1.8306
18.306
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.60681
606.81
3,000
¥0.46104
1383.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-353-5
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
- 100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
系列
RN2711
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
- 100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,RN2711(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
3,000:¥2.1357
9,000:¥2.0566
24,000:¥1.9775
45,000:¥1.9436
参考库存:17613
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.3391
参考库存:33468
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.23052
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:33471
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm
3,000:¥3.7968
参考库存:33474
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A
10:¥1,094.97
30:¥1,071.9971
参考库存:33477
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