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MMBTH11

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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.33787
1013.61
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBTH11
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
0.05 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 4 mA at 10 V
高度
0.93 mm
长度
2.92 mm
工作频率
650 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
650 MHz (Min)
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBTH11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM6968DCA
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected
12,000:¥1.8193
24,000:¥1.7854
参考库存:31506
PD85035STR-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
600:¥181.8057
参考库存:31509
CMPT591E TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Enhanced
9,000:¥0.69156
24,000:¥0.65314
45,000:¥0.58421
99,000:¥0.56048
参考库存:31512
2N4856
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥378.5161
250:¥346.7744
参考库存:31515
NVMFS5C628NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥4.4748
10,000:¥4.3053
参考库存:31518
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