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晶体管
AUIRF1010EZ参考图片

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AUIRF1010EZ

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
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库存:4,152(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
84 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001519970
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,AUIRF1010EZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V P-Channel QFET
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4117
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.7912
800:¥3.7855
参考库存:7822
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥91.3605
10:¥83.0663
25:¥76.84
参考库存:3512
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:6391
晶体管
IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
1:¥47.7199
10:¥40.567
100:¥35.1204
250:¥33.3463
500:¥29.8885
参考库存:3950
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