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晶体管
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FDA59N30

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库存:5,136(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.9783
4494.575
500
¥16.1364
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
59 A
Rds On-漏源导通电阻
56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA59N30
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
200 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
575 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
140 ns
零件号别名
FDA59N30_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA59N30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3165
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5707
参考库存:4303
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 4.7KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:8061
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0738
2,500:¥4.9494
10,000:查看
参考库存:2306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 40V 100MA
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:6587
晶体管
IGBT 晶体管 TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
500:¥22.7469
参考库存:2413
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