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晶体管
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FDH047AN08A0

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库存:4,531(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥34.2729
342.729
100
¥29.7416
2974.16
250
¥28.2048
7051.2
500
¥25.2781
12639.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FDH047AN08A0
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
88 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
FDH047AN08A0_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FDH047AN08A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
10,000:¥0.72998
20,000:查看
参考库存:11054
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual NPN
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:9072
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
50:¥524.659
100:¥486.239
参考库存:21687
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:11062
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:21692
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