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晶体管
MMBF170Q-7-F参考图片

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MMBF170Q-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
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库存:22,596(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7176
17.176
100
¥0.73789
73.789
1,000
¥0.56839
568.39
3,000
¥0.43053
1291.59
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
MMBF170
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBF170Q-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥360.6847
5:¥349.7802
10:¥339.5537
25:¥318.3436
参考库存:2159
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥144.1541
10:¥131.0122
25:¥121.249
50:¥114.6498
参考库存:2145
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
1:¥170.4266
5:¥168.6638
10:¥157.2169
25:¥150.1431
参考库存:2279
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
1,000:¥6.1585
参考库存:3017
晶体管
MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 DI package
1:¥7.7631
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
3,000:¥3.1188
9,000:查看
参考库存:4784
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