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晶体管
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2N5886G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 80V 200W NPN
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数量单价合计
1
¥47.9459
47.9459
10
¥43.3355
433.355
50
¥41.3354
2066.77
100
¥35.8888
3588.88
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
25 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5886
高度
8.51 mm (Max)
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
25 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.021 g
商品其它信息
优势价格，2N5886G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMH13,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:12049
SSM3K16FV,L3F
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1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:24664
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
1:¥3.1527
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.66105
参考库存:106054
RN1905FE,LF(CT
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24669
VP2206N3-G P005
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.526
10:¥10.5994
25:¥8.8366
100:¥8.0682
250:¥7.4693
2,000:¥7.4693
参考库存:24672
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