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晶体管
SSM6N44FE,LM参考图片

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SSM6N44FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
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3.7629
10
¥2.1018
21.018
100
¥0.90626
90.626
1,000
¥0.69947
699.47
4,000
¥0.52997
2119.88
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6N44
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
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