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晶体管
DMN62D1LFD-13参考图片

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DMN62D1LFD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
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20,000
¥0.43844
8768.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
550 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMN62D
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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