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晶体管
FDG6332C-F085参考图片

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FDG6332C-F085

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库存:32,697(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.4577
145.77
1,000
¥1.09158
1091.58
3,000
¥0.94468
2834.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
700 mA
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms, 420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.1 nC, 1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6332C_F085
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.8 S, 1.8 S
下降时间
1.5 ns, 1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 nS, 14 nS
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 nS, 6 nS
典型接通延迟时间
5 nS, 5.5 nS
零件号别名
FDG6332C_F085
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,FDG6332C-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 40V MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6275
500:¥6.7348
1,000:¥5.3223
1,500:¥5.3223
参考库存:47329
晶体管
IGBT 晶体管 600V 6A N-Channel
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.4919
参考库存:4157
晶体管
MOSFET FET 40V 0.85 MOHM PQFN56
1:¥36.9623
10:¥31.4253
100:¥27.2782
250:¥25.8205
3,000:¥18.5998
参考库存:5830
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:9333
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8204
250:¥22.6678
500:¥20.2835
800:¥17.515
参考库存:6887
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