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晶体管
STF13NM60ND参考图片

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STF13NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
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库存:3,973(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥22.3627
223.627
100
¥19.3682
1936.82
250
¥18.3625
4590.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
24.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STF13NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.6 ns
典型接通延迟时间
46.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF13NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
1:¥3.2996
10:¥2.1809
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:20606
晶体管
IGBT 模块 EconoPACK4 200A 1200V
1:¥1,647.8338
5:¥1,608.2612
参考库存:4614
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥23.4362
10:¥19.436
100:¥15.0629
500:¥13.221
3,000:¥13.221
参考库存:7428
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
5,000:¥5.65
10,000:查看
参考库存:14612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V NPN
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:103205
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