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晶体管
FDA20N50-F109参考图片

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FDA20N50-F109

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库存:3,793(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.8205
25.8205
10
¥21.9785
219.785
100
¥19.0518
1905.18
250
¥18.0574
4514.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA20N50_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
105 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
375 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
95 ns
零件号别名
FDA20N50_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA20N50-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
2,000:¥9.831
10,000:查看
参考库存:9743
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
参考库存:4420
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥184.8793
10:¥179.1163
25:¥164.5958
参考库存:4412
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
1:¥79.2243
100:¥76.3767
500:¥72.6138
800:¥72.6138
参考库存:34965
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Silicon Transistor
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:9260
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