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晶体管
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STD12N60DM2AG

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库存:6,987(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
2,500
¥5.7065
14266.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
STD12N60DM2AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,STD12N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:3701
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.7291
100:¥3.9776
1,000:¥2.9493
2,000:¥2.4973
参考库存:4648
晶体管
MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.7176
参考库存:12433
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 500mA NPN GP Transistors
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.69156
1,000:¥0.46895
5,000:¥0.36838
参考库存:39812
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:5849
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