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晶体管
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FJN4305RTA

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库存:16,431(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.4803
14.803
100
¥0.61472
61.472
1,000
¥0.42262
422.62
2,000
¥0.32996
659.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.47
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
- 0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
300 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJN4305R
封装
Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值
30
发射极 - 基极电压 VEBO
- 10 V
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
类型
PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格,FJN4305RTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥613.4092
5:¥552.0954
参考库存:28911
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
500:¥382.1999
参考库存:28914
晶体管
MOSFET PMV45EN2/TO-236AB/REEL 11" Q3/
10,000:¥0.62263
20,000:¥0.58421
50,000:¥0.52206
100,000:¥0.49946
参考库存:28917
晶体管
MOSFET TrenchMOS N-Channel
4,800:¥6.5201
9,600:¥6.2602
参考库存:28920
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
60:¥732.5112
参考库存:28923
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