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晶体管
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2N2608

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET JFET P-Channel -30V 50mA 300mW 2mW
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库存:2,466(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥93.4397
93.4397
10
¥76.614
766.14
100
¥63.5512
6355.12
500
¥57.9351
28967.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18-3
晶体管极性
P-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
- 10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 30 V
Vgs=0时的漏-源电流
- 4.5 mA
Id-连续漏极电流
5 mA
Pd-功率耗散
300 mW
系列
2N26
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
1 mS
闸/源截止电压
4 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
优势价格,2N2608的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:11594
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
2,000:¥18.2156
4,000:查看
参考库存:5524
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
500:¥19.0518
参考库存:3917
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:3653
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -49 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
2,500:¥5.65
参考库存:5487
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