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晶体管
SIHG100N60E-GE3参考图片

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SIHG100N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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库存:3,156(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.7144
50.7144
10
¥41.9569
419.569
100
¥34.578
3457.8
250
¥33.5045
8376.125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG100N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-channel 40 V 25 mo FET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.7007
参考库存:4290
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,000:¥1.00683
参考库存:6805
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:21199
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:41249
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:3787
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