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晶体管
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SI4542DY

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库存:7,086(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.4128
741.28
500
¥6.554
3277
1,000
¥5.1754
5175.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4542DY
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
18 S, 16 S
下降时间
5 ns, 18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 47 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 13 ns
零件号别名
SI4542DY_NL
单位重量
230.400 mg
商品其它信息
优势价格,SI4542DY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
50:¥486.4763
100:¥473.3344
参考库存:30685
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
2,500:¥2.7459
10,000:¥2.6442
25,000:¥2.5538
参考库存:30688
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:4464
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:30693
晶体管
IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
800:¥15.9104
2,400:¥15.142
4,800:¥14.5205
参考库存:30696
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