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晶体管
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BSS138-G

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库存:41,294(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.921
1.921
10
¥1.2543
12.543
100
¥0.56048
56.048
1,000
¥0.3616
361.6
3,000
¥0.26894
806.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
0.22 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
端接类型
SMD/SMT
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Comchip Technology
正向跨导 - 最小值
0.12 S
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
5 ns
商品其它信息
优势价格,BSS138-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:7379
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3448
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:7178
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥83.7556
10:¥75.3823
25:¥68.6136
100:¥61.9353
参考库存:3674
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:9179
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SupreMOS
1:¥17.289
10:¥14.7578
100:¥11.752
500:¥10.2943
参考库存:4618
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