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晶体管
DRA5144W0L参考图片

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DRA5144W0L

  • Panasonic
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
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数量单价合计
3,000
¥0.50737
1522.11
9,000
¥0.45313
4078.17
24,000
¥0.42262
10142.88
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
47 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMini3-F2-B
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
- 100 mA
最大工作温度
+ 150 C
封装
Reel
商标
Panasonic
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，DRA5144W0L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
250:¥623.3306
参考库存:27724
FCP20N60
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
1,000:¥15.2889
参考库存:27727
TSM60NB190CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V, 18A, Single N- N-Chan Power MOSFET
4,000:¥10.5316
5,000:¥10.1474
参考库存:27730
RSD050N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3L050SNTL1
2,500:¥1.7741
10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6498
50,000:¥1.6159
参考库存:27733
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:27736
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