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晶体管
TK12A60W,S4VX参考图片

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TK12A60W,S4VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
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1
¥31.4253
31.4253
10
¥25.2781
252.781
100
¥23.052
2305.2
250
¥20.7468
5186.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK12A60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK12A60W,S4VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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暂无价格
参考库存:36000
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