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晶体管
DDTA143ZCA-7-F参考图片

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DDTA143ZCA-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
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数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.10627
11.0627
100
¥0.46104
46.104
1,000
¥0.31527
315.27
3,000
¥0.24634
739.02
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
- 0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTA143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
发射极 - 基极电压 VEBO
- 0.3 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
类型
PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DDTA143ZCA-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGV50H60BT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
50:¥486.4763
100:¥473.3344
参考库存:30685
RSD200N05TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
2,500:¥2.7459
10,000:¥2.6442
25,000:¥2.5538
参考库存:30688
STW40N60M2-4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:4464
PXAC182002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:30693
HGT1S20N60C3S9A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
800:¥15.9104
2,400:¥15.142
4,800:¥14.5205
参考库存:30696
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