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IKP08N65H5XKSA1参考图片

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IKP08N65H5XKSA1

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数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.0627
1106.27
500
¥9.6841
4842.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP08N65H5 SP001001716
单位重量
6 g
商品其它信息
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