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晶体管
RGTH00TS65GC11参考图片

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RGTH00TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥28.7359
28.7359
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.131
2113.1
250
¥20.0575
5014.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
277 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH00TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH00TS65
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGTH00TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.2037
参考库存:29565
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
2,500:¥5.7291
5,000:查看
参考库存:3831
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥17.2099
10:¥13.9894
100:¥12.5995
500:¥9.9101
1,000:¥8.2942
参考库存:5046
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 300mW 2.4mW
1:¥156.9796
10:¥132.0066
100:¥121.4863
250:¥110.7287
参考库存:1818
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
参考库存:1741
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