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晶体管
CMPT6517 TR参考图片

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CMPT6517 TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary HV 350Vcbo 350Vceo
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.4351
143.51
1,000
¥1.04525
1045.25
3,000
¥0.89948
2698.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
500 mA
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
CMPT6517
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 30 mA, 10 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 30 mA, 10 V
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
CMPT6517 PBFREE TR
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，CMPT6517 TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1008L
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:2820
DMP3056L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
参考库存:70031
IPB80N06S2LH5ATMA4
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:3786
STL12N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4678
IFS150B12N3E4P_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,570.0672
5:¥1,532.2687
10:¥1,494.2329
25:¥1,473.2488
参考库存:2801
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