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晶体管
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FS75R12W2T4

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数量单价合计
1
¥462.5768
462.5768
5
¥452.2034
2261.017
10
¥434.6093
4346.093
25
¥420.6199
10515.4975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
107 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12W2T4BOMA1 SP000404118
单位重量
39 g
商品其它信息
优势价格,FS75R12W2T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC87 LOW VF RE
1,875:¥1.9662
2,500:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
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双极晶体管 - 预偏置 200mW R1=R2=47K
3,000:¥0.72207
9,000:¥0.66105
24,000:¥0.61472
参考库存:13810
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暂无价格
参考库存:32665
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1,000:¥5.4805
2,000:¥4.859
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3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:32671
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