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晶体管
MUN2233T1G参考图片

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MUN2233T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
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数量单价合计
1
¥1.3108
1.3108
10
¥1.12209
11.2209
100
¥0.40002
40.002
1,000
¥0.26103
261.03
3,000
¥0.20001
600.03
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.12
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
338 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN2233
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
1.09 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MUN2233T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:7379
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3448
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:7178
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥83.7556
10:¥75.3823
25:¥68.6136
100:¥61.9353
参考库存:3674
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:9179
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SupreMOS
1:¥17.289
10:¥14.7578
100:¥11.752
500:¥10.2943
参考库存:4618
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