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晶体管
DRA2114E0L参考图片

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DRA2114E0L

  • Panasonic
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
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库存:7,206(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.1357
21.357
100
¥1.1413
114.13
500
¥0.95259
476.295
3,000
¥0.52997
1589.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Mini3-G3-B
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
- 100 mA
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Panasonic
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DRA2114E0L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
参考库存:3478
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥245.3456
5:¥233.0512
10:¥226.904
25:¥208.5415
参考库存:2999
晶体管
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
2,500:¥5.2997
参考库存:30431
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:33586
晶体管
MOSFET 30V N-Chnl MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
2,500:¥2.599
参考库存:5259
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