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晶体管
STF7NM60N参考图片

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STF7NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
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库存:2,381(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.9046
1290.46
500
¥11.30
5650
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF7NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF7NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2489
参考库存:4763
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥34.4198
10:¥29.2783
100:¥25.3572
250:¥24.0464
2,000:¥17.289
4,000:查看
参考库存:6215
晶体管
MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:5815
晶体管
IGBT 模块
1:¥732.6694
5:¥719.2224
10:¥686.8705
25:¥663.9767
参考库存:4772
晶体管
MOSFET -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified
1:¥10.5316
10:¥9.2999
100:¥7.345
500:¥5.6952
1,000:¥4.4974
2,500:¥4.068
参考库存:8076
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